结果上，早在1990年，我国就起源内存芯片国产化，但没追逐上。现在由国度赞成的6英寸DRAM项目在运转7年后完成产品量产，但在产品问世时手艺已经远远掉队于韩国厂商。为什么会涌现这类情况呢？因为在进行产品垦荒时没有做科研，比及产品启示出来后，分工对手又研发了新的技术。这影响了我国的内存芯片发展进程。除此以外，专利、基础研究、人材和资金等方面的亏弱也影响了我国外存芯片工业的继续进行。

情随事变，尽管我国的融资、研发等情况大为改进，但国产DRAM行业与国外相助者仍具备不小不合。目前，合肥长鑫存储是国内第一家也是仅有一家 DRAM 供给商。2019年9月，长鑫存储颁发起源生产国产第一代 10nm 唱工级 8GB DDR4 内存芯片，正式走向商用。这款产品不仅增补了国产DRAM芯片的空白，还将对中低端存储进口芯片完成部分代替。

 

但在功底与良率方面与国外大厂还有不同。内存芯片的竞争力取决于功底与良率，前者将影响晶圆上的芯片数量，后者影响产出芯片的及格率。目前，长鑫存储的DDR4颗粒采用19纳米制程，而三星、美光早已采用14至16纳米制程；在投产后，长鑫存储经常重要一到两年伎俩把新唱功的良率提职至90%。

不外，我国企业照常无望追赶上国外大厂的。制程唱工进入20nm之后，DRAM的制作提升难度越来越高，手艺迭代速度缓解，好比现在厂商对制程唱功的界说初步变得模糊。这给了我国企业定然的年光窗口。如果我国企业能够新技艺上实现突破，那末有能够"弯道超车"。